近日國內功率器件巨頭時代電氣發(fā)布公告稱，子公司中車時代將投資111.19億元建設中低壓功率器件項目。
公告稱，基于公司及中車時代半導體的發(fā)展戰(zhàn)略需求，利用我國能源轉型升級的契機，打造產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢，該公司控股子公司株洲中車時代半導體有限公司(“中車時代半導體”)擬投資中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設項目，項目投資總額約人民幣111.19億元，其中宜興子項目和株洲子項目投資金額分別約人民幣58.26億元和人民幣52.93億元。據(jù)悉，宜興子項目建成達產(chǎn)后，可新增年產(chǎn)36萬片8英寸中低壓組件基材的生產(chǎn)能力(基建及公共設施具備72萬片/年的生產(chǎn)能力)，該項目產(chǎn)品主要用于新能源汽車領域。株洲子項目建成達產(chǎn)后，可新增年產(chǎn)36萬片8英寸中低壓組件基材的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品主要應用于新能源發(fā)電及工控、家電領域。就公告所示，中車時代半導體的高壓組件產(chǎn)品已實現(xiàn)在軌道交通、智能電網(wǎng)等大功率領域的廣泛應用，目前高壓組件市場需求整體平穩(wěn)，現(xiàn)有產(chǎn)能可覆蓋市場需求。公開資料顯示，目前中車時代半導體主要制造基地位于中國株洲和英國林肯。其中株洲基地2009年投入使用的6英寸雙極器件生產(chǎn)線采用了世界先進的工藝和測試設備，為特高壓直流輸電及高端工業(yè)裝備應用提供高品質產(chǎn)品。2013年建成投產(chǎn)的國內首條世界第二條專業(yè)IGBT/FRD生產(chǎn)線，滿足從650V-6500V IGBT芯片及模塊的制造。2017年建成投產(chǎn)的6英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)化基地完成了碳化硅（SiC）器件從研發(fā)到生產(chǎn)的轉化，實現(xiàn)在軌道交通、新能源汽車及新能源領域的示范性應用。位于英國林肯的產(chǎn)業(yè)化基地主要包括雙極器件及其組件和6英寸IGBT芯片及模塊生產(chǎn)線。其中雙極器件產(chǎn)線主要致力于晶閘管、整流管、GTO等的研發(fā)與生產(chǎn)。6英寸IGBT產(chǎn)線主要進行高壓IGBT芯片、定制化IGBT模塊的開發(fā)與生產(chǎn)。
